Opto Diode近紅外和紅光增強光電探測器，高靈敏度，小尺寸
Opto Diode的NXIR系列近紅外增強型光電二極管的設計是為了在630納米至1100納米的光譜范圍內實現的性能。對于集成光子系統來說，減少占地面積的芯片產品是激光二極管背面監測的選擇。NXIR系列的產品具有堅固的表面貼裝器件（SMD）技術，適用于高溫操作、雨水和陽光感應應用。
近紅外和紅光增強(NXIR)光電二極管型號
| 型號 | 零件編號 | 描述 | 有效面積mm2 |
| NXIR-RF100 | ODD-1064-004 | 近紅外/紅光增強型減徑光電二極管 | 1 |
| NXIR-RF36 | ODD-850-004 | 近紅外/紅光增強型減徑光電二極管 | 0.36 |
| NXIR-RF74 | ODD-850-005 | 近紅外/紅光增強型減徑光電二極管 | 0.74 |
NXIR-RF36光電二極管的特點
NXIR-RF36光電二極管是近紅外小尺寸光電二極管，光敏有效區域是0.6mmx0.6mm。NXIR-RF36光電二極管工作溫度是-40°C至+110°C，NXIR-RF36光電二極管符合RoHS和REACH標準，是大批量激光監測應用的理想選擇。
NXIR-RF36光電二極管存儲和工作溫度范圍-40°C至110°C，結點溫度110°C。NXIR-RF36光電二極管有效面積的典型值為0.36mm2,在850nm的波長下，靈敏度是0.65A/W，在Vr=3V時，暗電流的典型值是0.05nA,值是0.3nA。在VR=10mV時，分流電阻最小值是200MΩ，典型值是1000MΩ。在IR=10µA時反向擊穿電壓為25V，在VR=0V的測試條件上，電容的值為8pF。VR=10V時上升時間典型值為8納秒，值為15納秒。
NXIR-RF100光電二極管的特點
NXIR-RF100光電二極管是Optodiode近紅外增強型光電探測器，光敏有效區域是1mmx1mm。NXIR-RF100光電二極管有高靈敏度，?=850nm靈敏度是0.62A/W，?=1064nm靈敏度是0.35A/W。NXIR-RF100光電二極管工作溫度是-40°C至+125°C。NXIR-RF100光電二極管符合RoHS和REACH標準，是激光監測應用的理想選擇。
存儲和工作溫度范圍-40°C~125°C，結點溫度是125°C。NXIR-RF100光電二極管有效面積的典型值為1mm2,在850nm的波長下，靈敏度是0.62A/W，在1064nm下，響應速度是0.35A/W。光譜響應范圍λ為320nm~1100nm。在Vr=3V時，暗電流的典型值是0.1nA,值是0.75nA。在VR=10mV時，分流電阻最小值是200MΩ，典型值是500MΩ。在IR=10µA時反向擊穿電壓為50V，在VR=0V的測試條件上，電容的值為3pF。VR=5V時上升時間典型值為50納秒。
NXIR-RF74光電二極管的特點
NXIR-RF74光電二極管是近紅外小尺寸光電二極管，光敏有效區域是0.86mmx0.86mm。NXIR-RF74光電二極管有高靈敏度，?=850nm靈敏度是0.65A/W。NXIR-RF74光電二極管工作溫度是-40°C至+110°C。NXIR-RF74光電二極管符合RoHS和REACH標準，是大批量激光監測應用的理想選擇。
NXIR-RF74光電二極管有效面積的典型值為0.74mm2，當波長為850nm時，靈敏度是0.65A/W。在Vr=3V時，暗電流的典型值是0.1nA,值是0.75nA。在VR=10mV測試條件下，分流電阻的最小值是200MΩ，典型值是800 MΩ。IR=10µA，反向擊穿電壓最小值為25V，在VR=0V的測試條件上，電容的值為8pF。VR=10V時上升時間典型值為8納秒，值為15納秒。
Optodiode近紅外和紅光增強光電二極管是高靈敏度光電二極管，在400nm-1100nm時靈敏度是0.35A/W-0.65A/W。Opto Diode近紅外和紅光增強光電探測器有效面積是1mm2，是小尺寸光電二極管。Optodiode近紅外增強型光電探測器符合RoHS和REACH標準，是大批量激光監測應用的理想選擇。近紅外和紅光增強光電探測器工作溫度范圍寬，可以在-40°C~125°C左右工作。
NXIR-RF74光電二極管在25°時的光電特性
從光譜響應圖可以看到在波長850nm之前，靈敏度是隨著波長增加而增大，在波長900nm之后，靈敏度隨著波長增加而減小。
