產品介紹
半導體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業、大規模、超大規模集成電路需用大量的純水、高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高,線寬越窄,對水質的要求也越高。目前我國電子工業部把電子級水質技術分為五個行業等級,分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm,以區分不同水質。
工藝簡介
電子、半導體、液晶顯示、光伏工業生產在制作過程中,往往需要使用極其純凈的超純水。如果純水水質達不到生產工藝用水的要求或者水質不穩定的話,會影響到后續工藝的處理效果和使用壽命。在光伏行業電子管生產中,如其中混入雜質,就會影響電子的發射,進而影響電子管的放大性能及壽命,在顯像管和陰極射線管生產中,其熒光屏內壁用噴涂法或沉淀法附著一層熒光物質,如其配制純水中含銅在8ppb以上,就會引起發光變色;含鐵在50ppb以上就會使發光變色、變暗、閃動并會造成氣泡、條跡、漏光點等廢次品。
工藝流程
產品特點
電子工業超純水設備通常由多介質過濾器,活性碳過濾器,鈉離子軟化器、精密過濾器等構成預處理系統、RO反滲透主機系統、離子交換混床(EDI電除鹽系統)系統等構成主要設備系統。原水箱、中間水箱、RO純水水箱、超純水水箱均設有液位控制系統、高低壓水泵均設有高低壓壓力保護裝置、在線水質檢測控制儀表、電氣采用PLC可編程控制器,真正做到了無人值守,同時在工藝選材上采用推薦和客戶要求相統一的方法,使該設備與其它同類產品相比較,具有更高的性價比和設備可靠性。
主要應用
1、大規模集成電路元器件的生產用水,一般電阻率均大于18MO-CM。按國家有關用水標準(GB/T11446.1-1997)執行。
2、電子元件廠,在焊接和組裝過程中的沖洗用水。依據電子元件生產工藝不同,其用水標準中(即GB/T11446.1-1997)有可為四級(一級電導率18MO-CM以上,二級電阻率不低于15MO-CM,3級電阻率12MO-CM, 4級為0.5MO-CM)。
2、電子元件廠,在焊接和組裝過程中的沖洗用水。依據電子元件生產工藝不同,其用水標準中(即GB/T11446.1-1997)有可為四級(一級電導率18MO-CM以上,二級電阻率不低于15MO-CM,3級電阻率12MO-CM, 4級為0.5MO-CM)。
技術特征
1、制取電子級超純水;
2、可連續自動生產,不必停機再生;
3、出水水質優于常規離子交換法;
4、不需酸堿再生,不污染環境;
5、運行成本低,占地面積小;
2、可連續自動生產,不必停機再生;
3、出水水質優于常規離子交換法;
4、不需酸堿再生,不污染環境;
5、運行成本低,占地面積小;
應用范圍
1、半導體材料、器件、印刷電路板和集成電路成品、半成品用超純水;
2、超純材料和超純化學試劑勾兌用超純水;
3、實驗室和中試車間用超純水;
4、汽車、家電表面拋光處理;
5、光電子產品;
6、其他高科技精微產品。
2、超純材料和超純化學試劑勾兌用超純水;
3、實驗室和中試車間用超純水;
4、汽車、家電表面拋光處理;
5、光電子產品;
6、其他高科技精微產品。
進水標準
通常為單級反滲透或二級反滲透的滲透水。 | TEA(總可交換陰離子,以CaCO3計):<25ppm。 |
電導率:<40μS/cm。 | 溫度: 5~35℃。 |
有機物( TOC):<0.5ppm。 | 氧化劑:Cl2<0.05ppm,O3<0.02ppm。 |
變價金屬: Fe<0.01ppm,Mn<0.02ppm。 | H2S:<0.01ppm。 |
二氧化硅:<0.5ppm。 | 色度:<5APHA。 |
二氧化碳的總量:<10ppm | SDI 15min:<1.0。 |
進水壓力:<4bar(60psi)。 | 硬度:(以CaCO3計):<1.0ppm。 |
PH:6.0~9.0。當總硬度低于0.1ppm時,EDI工作的pH范圍為8.0~9.0。 |
出水標準
中國電子行業超純水 國家標準GB/T1146.1-1997
實驗室用水國家標準GB6682-92
美國半導體工業 用純水 指標
美國試驗級用水標準(ASTM/NCCLS)
實驗室用水國家標準GB6682-92
美國半導體工業 用純水 指標
美國試驗級用水標準(ASTM/NCCLS)