碳化硅HMDS烘箱的背景
碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表,也是目前晶體生產技術和器件制造水平成熟,應用廣泛的寬禁帶半導體材料之一,目前已經形成了全球的材料、器件和應用產業鏈。
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強,在熱、化學、機械方面都非常穩定。SiC存在各種多型體(多晶型體),它們的物理特性值各有不同。
碳化硅HMDS烘箱,SiC襯底HMDS烤箱的作用
HMDS烘箱將HMDS氣相沉積至半導體制造中氮化鎵(GaN)和、碳化硅(SiC)、硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料表面后,經系統加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯劑的作用。
碳化硅HMDS烘箱,SiC襯底HMDS烤箱主要性能:
空間(mm):300*300*300
450*450*450
600*600*600,可定制
適用產品:兼容1-12寸晶圓及碎片
溫度范圍:RT+10-250℃
溫度穩定度:≤±0.5℃
真空度:≤133pa(1torr)
材質:316L不銹鋼+冷軋板噴塑
HMDS系統:密閉設計,自動開啟,數據可設定
液位計:低液位報警
儲液瓶:HMDS儲液量1000ml
真空泵:無油渦旋真空泵
運行時間:20Min
計量單位:S/Pa
運行方式:自動運行
進氣:N2
排氣:有機排放
電源:220V、50-60HZ
功率:2800W