非自耗真空電弧爐KDH-1000技術(shù)參數(shù)
1)電弧熔煉室:立式圓筒型真空室。
2)冷態(tài)極限真空度:≤6.7x10-4 Pa.
3)熔煉電流:額定電流1000 A.
4)設(shè)備加熱溫度:3500~4000℃.
5)熔煉堝有五個(gè)工位,三個(gè)熔煉合金工位(一個(gè)帶電磁攪拌),一個(gè)熔煉除氣工位,一個(gè)吸鑄工位。
6)熔煉樣品重量(以鐵標(biāo)定):1x500克,1x200克,1x100克。
7)熔煉除氣工位(以鐵標(biāo)定):1X80克。
8)吸鑄工位(以鐵標(biāo)定):1x80克
9)電弧熔煉陰極裝置:引弧方式為高頻和接觸式引弧。
非自耗真空電弧爐KDH-1000是利用等離子體的高溫、高能量和高活性進(jìn)行金屬材料的熔煉和自然晶體生長。真空電弧加熱方式使用射頻(RF)發(fā)生器產(chǎn)生高頻應(yīng)用場來引導(dǎo)鋁箔放電,形成電弧及其等離子體。當(dāng)鋁箔被加熱到其熔點(diǎn)以上時(shí),它流動(dòng)到集合內(nèi)靜電場所達(dá)到的垂直表面之上,隨即由于放電中所釋放的熱量再次熔融。