簡介

scia Mill 150適用于在多種材料復雜多層膜上的微結構刻蝕。該系統對活性氣體相容，能夠進行反應蝕刻工藝以提高選擇性和刻蝕速率。由于其節省空間的設計，scia Mill 150是小規模生產和研發應用的理想選擇。

常規屬性

- 采用圓形離子源對全部樣品區域在惰性或反應氣體環境下進行刻蝕

- 可進行離子束刻蝕（IBE、IBM）、反應離子束刻蝕（RIBE）和化學輔助離子束刻蝕（CAIBE）

- 刻蝕角度調整：樣品臺可以旋轉且傾斜可調

- 可獲得的均勻性而無需修正擋板

- 通過反應氣體可以提高刻蝕速率，并控制刻蝕選擇性

- 通過基于SIMS（二次離子質譜）或光學的截止點探測技術控制工藝

- 可配備晶圓載具（wafer carrier）以適用不同尺寸基底

- 可以刻蝕光刻膠晶圓，具有良好的樣品冷卻配置

系統性能