IM4000PLUS是支持斷面研磨和平面研磨（Flat Milling®*1）的混合式離子研磨儀器。借此，可以用于適用于各種諸如對樣品內部結構觀察和各類分析等，為評價目的樣品的制作。
*1平面研磨（Flat Milling®）是位于日本國內的日立有限公司的注冊商標。
參數規格：
| 項目 | 內容 | |
|---|---|---|
| IM4000PLUS | IM4000PLUS | |
| 斷面研磨桿 | 平面研磨桿 | |
| 使用氣體 | Ar（氬）氣 | |
| 加速電壓 | 0 ～ 6 kV | |
| **研磨速度（Si材料） | 500 µm/hr*1 以上 | - |
| **樣品尺寸 | 20（W）× 12（D）× 7（H）mm | Φ50 × 25（H） mm |
| 離子束 間歇照射功能 | 標配 | |
| 尺寸 | 616（W）× 705（D）× 312（H）mm | |
| 重量 | 機體48 kg＋回轉泵28 kg | |
| 附冷卻溫度調節功能的IM4000PLUS | ||
| 冷卻溫度調節功能 | 通過液氮間接冷卻樣品、溫度設定范圍：0°C ～ －100°C | |
| 選項 | ||
| 空氣隔離 樣品夾持器 | 僅支持斷面研磨夾持器 | - |
| FP版斷面研磨夾持器 | 100 µm/rotate*2 | - |
| 用于加工監控的顯微鏡 | 倍率 15 × ～ 100 × 雙目型、三目型（支持CCD） | |
產品特點：
高通量的斷面研磨
配備斷面研磨能力達到500 µm/h*2以上的高效率離子槍。因此，即使是硬質材料，也可以高效地制備出斷面樣品。
*2在加速電壓6 kV下，將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時時的**深度斷面研磨
即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構成的復合材料，也可以制備出平滑的斷面樣品
優化加工條件，減輕損傷
可裝載**20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品
斷面研磨的主要用途
制備金屬以及復合材料、高分子材料等各種樣品的斷面
制備用于分析開裂和空洞等缺陷的斷面
制備評價、觀察和分析所用的沉積層界面以及結晶狀態的斷面
斷面研磨加工原理圖
平面研磨（Flat Milling®）
均勻加工成直徑約為5mm的范圍
可運用于符合其目的的廣泛領域
**可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品
可選擇旋轉和擺動（±60度～±90度的翻轉）2種加工方法
平面研磨（Flat Milling®）的主要用途
去除機械研磨中難以消除的細小劃痕和形變
去除樣品的表層
消除FIB加工的損傷
平面研磨（Flat Milling®）加工原理圖
與日立SEM的樣品結合
樣品無需從樣品臺取下，就可直接在SEM上進行觀察。
在抽出式的日立SEM上，可按照不同的樣品分別設置截面、平面研磨桿，因此，在SEM上觀察之后，可根據需要進行再加工。
冷卻溫度調節功能*1
附冷卻溫度調節功能的IM4000PLUS
該功能可有效防止加工過程中，由于離子束照射引發的樣品的溫度上升，所導致樣品的溶解和變形。對于過度冷卻后會產生開裂的樣品，通過冷卻溫度調節功能可防止其因過度冷卻而產生開裂。
*1此調節功能不是IM4000PLUS的標配功能，而是配有冷卻溫度調節功能的IM4000PLUS功能。樣品：鉛焊料
冷卻研磨 常溫研磨
