設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)

償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

面板顯示裝置可及時(shí)顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果,前面板的功能按鍵方便了系統(tǒng)操作。通過(guò)功能按鍵，系統(tǒng)可以脫離主控計(jì)算機(jī)獨(dú)立完成多種工作。

系統(tǒng)提供與機(jī)械手、探針臺(tái)、電腦的連接口，可以支持各種不同輔助設(shè)備的相互連接使用。

基礎(chǔ)配置：

測(cè)試參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數(shù)：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS、
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數(shù)：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

系統(tǒng)特征：

● 測(cè)試范圍廣（19大類(lèi)，27分類(lèi)）
●升級(jí)擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可提高電壓電流，和增加測(cè)試品種范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V,1250A
● 采用脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定的300uS
● 被測(cè)器件引腿接觸自動(dòng)判斷功能，遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試，確保被測(cè)器件不受損壞
● 真正的動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)測(cè)試。（主流的直流方法測(cè)動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)，其結(jié)果與器件實(shí)際值偏差很大）
● 系統(tǒng)故障在線判斷修復(fù)能力，便于應(yīng)急處理排除故障
● 二極管極性自動(dòng)判別功能，無(wú)需人工操作

系統(tǒng)特征：

● IV曲線顯示/局部放大

● 程序保護(hù)電流/電壓,以防損壞

● 品種繁多的曲線

● 可編程的數(shù)據(jù)點(diǎn)對(duì)應(yīng)

● 增加線性或?qū)?shù)

● 可編程延遲時(shí)間可減少器件發(fā)熱

● 保存和重新導(dǎo)入入口程序

● 保存和導(dǎo)入之前捕獲圖象

● 曲線數(shù)據(jù)直接導(dǎo)入到EXCEL

● 曲線程序和數(shù)據(jù)自動(dòng)存入EXCEL

● 測(cè)試范圍廣（19大類(lèi)、27分類(lèi)）

曲線測(cè)試：

ID vs. VDS at range of VGS

ID vs. VGS at fixed VDS

IS vs. VSD

RDS vs. VGS at fixed ID

RDS vs. ID at several VGS

IDSS vs. VDS / HFE vs. IC

BVCE（O,S,R,V） vs. IC

BVEBO vs. IE

BVCBO vs. IC

VCE（SAT） vs. IC

VBE（SAT） vs. IC

VBE（ON） vs. IC （use VBE test）

VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF

測(cè)試參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO

增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

間接參數(shù)：IL

配置規(guī)格：

測(cè)試范圍：

電源作所有電子產(chǎn)品的心臟，無(wú)處不在 ，據(jù)不統(tǒng)計(jì)，電子產(chǎn)品損壞的故障60%源自于電源，但目前電源行業(yè)似乎成了門(mén)檻很低的行業(yè)，似乎搞清楚幾種典型的 拓?fù)洌雷儔浩髟趺蠢@的就可以做好電源。其實(shí)，業(yè)類(lèi)人士都知道，做一個(gè)好的電源使其輸出5V電壓并不難，難的是做好一個(gè)電源，在不同環(huán)境溫度，不同輸入電壓，不同負(fù)載下工作，滿足各種EMC指標(biāo)，散熱良好，具有電路保護(hù)等功能的電源難度就很大了，電源仍然是高技術(shù)難度的行業(yè)。開(kāi)關(guān)電源核心的整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路，電路保護(hù)功能等都離不開(kāi)各種晶體管，MOS，IGBT等。

隨著泰克經(jīng)典圖示儀370B停產(chǎn)多年，并淡出人們視線，傳統(tǒng)的圖示儀在精度，量程，可靠性以及可生成曲線種類(lèi)的局限性，無(wú)法編程控制，數(shù)據(jù)沒(méi)法回溯，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)操作復(fù)雜，測(cè)試效率低等多方面的因素，在電源設(shè)計(jì)，來(lái)料檢驗(yàn)以及失效分析等環(huán)節(jié)有相當(dāng)大額局限性，尤其在高效率精密電源的關(guān)鍵元器件的選型和質(zhì)量管控上更是顯得捉襟見(jiàn)肘；

下面我們來(lái)具體了解下 HUSTEC-5000晶體管圖示儀的相關(guān)應(yīng)用:
在電源設(shè)計(jì)階段，工程師們?yōu)榱诉_(dá)成預(yù)定的設(shè)計(jì)目標(biāo)，在前期器件選型的過(guò)程中會(huì)謹(jǐn)慎的留有余量，并會(huì)持續(xù)關(guān)注器件的真實(shí)反應(yīng)是否和規(guī)格書(shū)datesheet上的表述那樣。開(kāi)關(guān)電源的核心器件離不開(kāi)各種 開(kāi)關(guān)管，通常見(jiàn)的是 MOSFET，大功率的 會(huì)用到IGBT，照明電源三極管居多。
我們以MOSFET為例子，下面是用華科智源科技有限公司 HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀實(shí)測(cè)的一顆 IRF610得到的輸出特性曲線，曲線反應(yīng)了漏源電壓VDS對(duì)Id的影響；


從圖中我們能夠清楚地看到可變電阻區(qū)，當(dāng)VDS較小時(shí)，ID與VDS呈線性關(guān)系，隨著VGS增加，對(duì)應(yīng)的曲線的斜率也相應(yīng)增大，此時(shí)可以近似看作是一個(gè)可用VGS調(diào)節(jié)的可變電阻。在平常使用過(guò)程中，MOSFET作為壓控電阻時(shí)我們比較關(guān)注這段曲線的情況。在飽和區(qū)時(shí)可以看出VDS的增大時(shí)不會(huì)影響到ID，這是我們關(guān)注的的電氣特性。通過(guò)曲線特征觀測(cè)，工程師就能很明確的了解選用的器件特性如何，給器件選型提供判定的依據(jù)。

RDS（on）也是器件選型中很關(guān)鍵的參數(shù)，RDS（on）小的話有利于減少溫升，但這個(gè)參數(shù)不是越小越好，還要考慮電路的驅(qū)動(dòng)能力以及工作頻率。通過(guò)HUSTEC-5000可以非常直觀的看到器件RDS（on）與ID之間的關(guān)系，隨著ID的增加RDS（on）會(huì)稍微變大，但是當(dāng)ID達(dá)到一定值之后，RDSON顯著增加，說(shuō)明這個(gè)階段升溫比較快。如上圖所示。



再看看VGS對(duì)RDS（on）的影響,開(kāi)始的時(shí)候電阻很大，隨著VGS增大器件導(dǎo)通并保持*的阻值。

另外我們關(guān)注的截止?fàn)顟B(tài)IDSS對(duì)應(yīng)VDS的曲線也很容易實(shí)現(xiàn)，一眼就能看到擊穿點(diǎn)的位置。

華科智源科技有限公司 HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀能夠測(cè)試的元器件種類(lèi)很多，二極管、穩(wěn)壓管、可控硅、光耦、IGBT等等，單一器件的輸出曲線特性種類(lèi)很豐富，上面僅就MOSFET舉個(gè)例子。更關(guān)鍵的是的曲線是程控的，所有的測(cè)試條件都可以保存為一個(gè)程序，同一個(gè)器件或者同一批次的器件下次再做測(cè)試的時(shí)候，可以直接調(diào)用之前保存的程序，基于Window界面的操作軟件，非常簡(jiǎn)單，只需要完成簡(jiǎn)單的填空就可以。


測(cè)試數(shù)據(jù)可以直接保存在Excel表格里面，以便于進(jìn)一步的分析和處理，如下圖所示。



在測(cè)試指標(biāo)通過(guò)，進(jìn)入量產(chǎn)階段，HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀仍然會(huì)有很大的用途，在器件來(lái)料檢驗(yàn)階段，實(shí)力雄厚的大廠往往對(duì)品質(zhì)要求非常之嚴(yán)格，格外的注重自身品牌的影響力。雖然選擇的器件是的器件，但是他們的來(lái)料檢驗(yàn)還是必要的，有些元器件一級(jí)級(jí)的分很多代理去銷(xiāo)售，代理商之間可能會(huì)相互串貨，不怕一萬(wàn)就怕萬(wàn)一，難保會(huì)有緊俏缺貨的時(shí)候，市場(chǎng)又魚(yú)龍混雜，打著同樣mark的料，可能身世各不相同。
測(cè)試量大就更要求程序控制，高速自動(dòng)測(cè)試的同時(shí)數(shù)據(jù)自動(dòng)存儲(chǔ)在EXCEL，良品不良品能夠進(jìn)行自動(dòng)判定。不管是NMOS還是PMOS，還是二三極管，IGBT等等都可以測(cè)試，如下圖所示幾乎規(guī)格書(shū)上會(huì)有的所有DC參數(shù)都涵蓋了。

而產(chǎn)品量產(chǎn)階段同樣會(huì)有尋找成本更低并且仍能滿足要求的替代器件的需求。成本的降低會(huì)直接導(dǎo)致利潤(rùn)的提高，這時(shí)候華科智源 ENJ2005系列晶體管圖示儀能夠通過(guò)測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比，來(lái)判定新找的器件是能夠有效替代。
HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀還有一個(gè)非常有效的應(yīng)用領(lǐng)域，就是失效分析領(lǐng)域，在發(fā)生品質(zhì)事故時(shí)，往往需要做失效分析，這是HUSTEC-5000會(huì)成為一個(gè)得力的助手。在一些半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家如銀茂微電子，力特電子等，甚至一些第三方的專(zhuān)門(mén)做失效分析的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，如深圳美信檢測(cè)，深圳帆泰檢測(cè)也在使用HUSTEC-5000做檢測(cè)，所以它的測(cè)試結(jié)果很有說(shuō)服力。