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環(huán)保APP正式上線

SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)HUSTEC-300
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2023/4/4 14:51:10
  • 訪問次數(shù)193
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深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事儀器儀表代理的綜合性服務(wù)公司,于2010年在深圳注冊(cè)成立,目前已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)較大的儀器經(jīng)銷商,系統(tǒng)集成商和綜合服務(wù)商之一。
深圳市華科智源科技有限公司的客戶涉及工業(yè)電子制造、通信及信息技術(shù)、教育科研、微電子、新能源、生物醫(yī)藥、節(jié)能環(huán)保等行業(yè)和領(lǐng)域,通過與、Agilent、Lecroy、Tektronix、Yokogawa、Kikusui、DTV、NF、費(fèi)思泰克Faith、牛津OXFORD、島津SHIMADZU等廠商的合作,為客戶提供產(chǎn)品增值銷售、應(yīng)用系統(tǒng)集成、科技租賃、計(jì)量校準(zhǔn)、維修維護(hù)等綜合服務(wù)。
深圳市華科智源科技有限公司,,主要研發(fā)生產(chǎn)的設(shè)備有SMT*檢測(cè)儀,ITC57300,半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,ITC55100等測(cè)試產(chǎn)品及測(cè)試系統(tǒng)。
深圳市華科智源科技有限公司一貫堅(jiān)持“可靠的產(chǎn)品,優(yōu)質(zhì)的服務(wù)”的經(jīng)營(yíng)方針,結(jié)合市場(chǎng)變化和客戶要求,華科智源致力于同客戶建立*的合作伙伴關(guān)系,為客戶提供“需求分析、產(chǎn)品選型、人員培訓(xùn)和售后服務(wù)”等一條龍完善服務(wù),贏得了生產(chǎn)廠商和用戶的廣泛好評(píng)。

深圳市華科智源科技有限公司將秉持迅速、可靠、精準(zhǔn)、專業(yè)的態(tài)度永續(xù)經(jīng)營(yíng),以提供Z實(shí)時(shí)有效的服務(wù)為Z終目標(biāo)。

SMT首件檢測(cè)儀 SMT首件測(cè)試系統(tǒng) 智能首件檢測(cè)儀 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀
功能及主要參數(shù):  適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品信息

功能及主要參數(shù):
  適用碳化硅二極管、IGBT模塊/MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
  主要技術(shù)參數(shù):
  IGBT開關(guān)特性測(cè)試
  開關(guān)時(shí)間測(cè)試條件
  Ic:50A~1000A Vce:200V~2000V
  Vgs:-10V~+20V Rg:1R~100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)
  負(fù)  載:感性負(fù)載阻性負(fù)載可切換
  電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
  電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R
  IGBT開關(guān)特性測(cè)試參數(shù)
  開通延遲td(on): 20nS -10uS
  上升時(shí)間tr: 20nS -10uS
  開通能量Eon: 0.1-1000mJ
  關(guān)斷延遲時(shí)間td(off):20 nS -10uS
  下降時(shí)間 tf: 20nS -10uS
  關(guān)斷能量Eoff:0.1-1000mJ
  二極管反向恢復(fù)特性測(cè)試
  FRD測(cè)試條件:正向電流IF:50A~1000A;反向電壓 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;負(fù)載:感性負(fù)載可選
  電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
  FRD測(cè)試參數(shù)
  反向恢復(fù)時(shí)間trr:20nS -2uS
  反向恢復(fù)電荷Qc:10nC~10uC;
  反向恢復(fù)電流Irm:50A~1000A
  反向恢復(fù)損耗Erec:0.1mJ~1000mJ
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
  國(guó)內(nèi)能對(duì)二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)實(shí)施測(cè)試的設(shè)備。

15168338725
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