1、超高精度和穩(wěn)定性,,來(lái)源于高穩(wěn)定激光光源、溫度穩(wěn)定補(bǔ)償器設(shè)置、起偏器跟蹤和超低噪聲探測(cè)器。
2、高精度樣品校準(zhǔn),使用光學(xué)自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)鏡和顯微鏡。
3、快速簡(jiǎn)易測(cè)量,可選擇不同的應(yīng)用模型和入射角度。
4、多角度測(cè)量,可支持復(fù)雜應(yīng)用和精確厚度。
5、全面預(yù)設(shè)應(yīng)用,包含微電子、光電、磁存儲(chǔ)、生命科學(xué)等領(lǐng)域。
2、高精度樣品校準(zhǔn),使用光學(xué)自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)鏡和顯微鏡。
3、快速簡(jiǎn)易測(cè)量,可選擇不同的應(yīng)用模型和入射角度。
4、多角度測(cè)量,可支持復(fù)雜應(yīng)用和精確厚度。
5、全面預(yù)設(shè)應(yīng)用,包含微電子、光電、磁存儲(chǔ)、生命科學(xué)等領(lǐng)域。
全面預(yù)設(shè)應(yīng)用,包含微電子、光電、磁存儲(chǔ)、生命科學(xué)等領(lǐng)域。
1、波長(zhǎng):632.8nm氦氖激光器。
2、長(zhǎng)期穩(wěn)定性:d(y)=±0.01°;d(D)=±0.1°。
3、折射率測(cè)量精度:5×10^-4for 100nm SiO2 on Si。
4、弱吸光性薄膜厚度范圍(多晶硅):2μm。
5、測(cè)量時(shí)間:120ms~1.5s(決定于測(cè)量方式)。
6、入射角:手動(dòng)角度計(jì)40°~90°,步進(jìn)值5°。
7、選項(xiàng):360°旋轉(zhuǎn)單元;真空吸盤(pán);x-y地形圖掃描載物臺(tái)。
8、90°位置時(shí)y,D精度:d(y)=±0.002°;d(D)=±0.002°。
9、膜厚測(cè)量精度:0.1? for 100nm SiO2 on Si。
10、透明薄膜的厚度范圍:4μm。
11、膜層數(shù)量默認(rèn):在基底或多層膜上的1-3層膜。
12、激光束直徑:1mm。
13、樣品載物臺(tái):可調(diào)節(jié)高度和角度的樣品臺(tái),150mm直徑。
14、設(shè)置:高穩(wěn)定性補(bǔ)償器,可得到0°和180°附近D的高精確度電腦控制的起偏器,定位/探測(cè),自動(dòng)校準(zhǔn)高穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)分析器。
2、長(zhǎng)期穩(wěn)定性:d(y)=±0.01°;d(D)=±0.1°。
3、折射率測(cè)量精度:5×10^-4for 100nm SiO2 on Si。
4、弱吸光性薄膜厚度范圍(多晶硅):2μm。
5、測(cè)量時(shí)間:120ms~1.5s(決定于測(cè)量方式)。
6、入射角:手動(dòng)角度計(jì)40°~90°,步進(jìn)值5°。
7、選項(xiàng):360°旋轉(zhuǎn)單元;真空吸盤(pán);x-y地形圖掃描載物臺(tái)。
8、90°位置時(shí)y,D精度:d(y)=±0.002°;d(D)=±0.002°。
9、膜厚測(cè)量精度:0.1? for 100nm SiO2 on Si。
10、透明薄膜的厚度范圍:4μm。
11、膜層數(shù)量默認(rèn):在基底或多層膜上的1-3層膜。
12、激光束直徑:1mm。
13、樣品載物臺(tái):可調(diào)節(jié)高度和角度的樣品臺(tái),150mm直徑。
14、設(shè)置:高穩(wěn)定性補(bǔ)償器,可得到0°和180°附近D的高精確度電腦控制的起偏器,定位/探測(cè),自動(dòng)校準(zhǔn)高穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)分析器。