ICP-RIE SI 500 德國Sentech等離子刻蝕機
低損傷刻蝕
由于離子能量低,離子能量分布帶寬窄,因此可以用我們的等離子體刻蝕機SI 500進行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕。
高速刻蝕
對于具有高深寬比的高速硅基MEMS刻蝕,光滑的側(cè)壁可以通過室溫下氣體切換工藝或低溫工藝即可很容易地實現(xiàn)。
自主研發(fā)的ICP等離子源
三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能,非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。
動態(tài)溫度控制
在等離子體刻蝕過程中,襯底溫度的設(shè)定和穩(wěn)定性對于實現(xiàn)高質(zhì)量蝕刻起著至關(guān)重要的作用。動態(tài)溫度控制的ICP襯底電極結(jié)合氦氣背冷和基板背面溫度傳感,可在-150°C至+400°C的廣泛溫度范圍內(nèi)提供了優(yōu)良的工藝條件。
SI 500為研發(fā)和生產(chǎn)提供*的電感耦合等離子體(ICP)工藝設(shè)備。它基于ICP等離子體源PTSA,動態(tài)溫度控制的襯底電極,全自動控制的真空系統(tǒng),使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的*的SETECH控制軟件和用于操作SI 500的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是SI 500主要的設(shè)計特點。
SI 500 ICP等離子刻蝕機,可以用于加工各種各樣的襯底,從直徑高達200 mm的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預(yù)真空室保證穩(wěn)定的工藝條件,并且切換工藝非常容易。
SI 500 ICP等離子刻蝕機,通過配置可用于刻蝕不同材料,包括但不于例如三五族化合物半導(dǎo)體(GaAs, InP, GaN, InSb),介質(zhì),石英,玻璃,硅和硅化合物(SiC, SiGe),還有金屬等。
SENTECH提供用戶不同級別的自動化程度,從真空片盒載片到一個工藝腔室到六個工藝模塊端口,可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 ICP等離子刻蝕機也可用作多腔系統(tǒng)中的工藝模塊。
SI 500
- ICP等離子刻蝕機
- 帶預(yù)真空室
- 適用于200mm的晶片
- 襯底溫度從-20 °C到300 °C
SI 500 C
- 等溫ICP等離子刻蝕機
- 帶傳送腔和預(yù)真空室
- 襯底溫度從-150 °C到400 °C
SI 500 IRE
- RIE等離子刻蝕機
- 背面氦氣冷卻刻蝕的智能解決方案
- 電容耦合等離子體源,可升級成ICP等離子體源PTS
SI 500-300
- ICP等離子刻蝕機
- 帶預(yù)真空室
- 適用于300mm晶片