產(chǎn)品概述
DSi系列硅光電探測(cè)器——室溫型探測(cè)器,使用范圍:200-1100nm
兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同,其中:
● DSi200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器
● DSi300型內(nèi)裝進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電探測(cè)器
● 推薦配合I-V放大器(型號(hào):ZAMP)使用
兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同,其中:
● DSi200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器
● DSi300型內(nèi)裝進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電探測(cè)器
● 推薦配合I-V放大器(型號(hào):ZAMP)使用
兩種型號(hào)硅光電探測(cè)器的光譜響應(yīng)度曲線圖
技術(shù)指標(biāo)\型號(hào)名稱(chēng) | DSi200 紫敏硅探測(cè)器 | DSi300 藍(lán)光增強(qiáng)型硅探測(cè)器 |
進(jìn)口紫外增強(qiáng)型 | 進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型 | |
有效接收面積(mm2) | 100(Φ11.28) | 100(Φ11.28) |
波長(zhǎng)使用范圍(nm) | 200-1100 | 350-1100 |
峰值波長(zhǎng)(nm),典型值 | 820nm | 970nm |
峰值波長(zhǎng)響應(yīng)度(A/W) | 0.52 | 0.60(>0.55) |
典型波長(zhǎng)的響應(yīng)度(A/W) | 0.14(>0.09)@254nm | 0.20(>0.15)@410nm |
響應(yīng)時(shí)間(μs) | 5.9 | 2 |
工作溫度范圍(℃) | -10~+60 | -10~+60 |
儲(chǔ)存溫度范圍(℃) | -20~+70 | -20~+70 |
分流電阻RSH(MΩ) | 10(>5) | (>10) |
等效噪聲功率NEP(W/√Hz) | 4.5×10-13 | 2.0×10-13 |
*大操作電流(mA@0V bias) | 0.1 | 10.0 |
結(jié)電容(pf@0V bias) | 4500 | 8800 |
信號(hào)輸出模式 | 電流 | 電流 |
輸出信號(hào)極性 | 正(P) | 正(P) |
硅光電探測(cè)器使用建議:
■ DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測(cè)器,在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前,建議采用I-V跨導(dǎo)放大器做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào),標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào),但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度;
■ DSi200/DSi300配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用時(shí),由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器,故可不再需要另行選配前置放大器。