產品概述
反應離子刻蝕機 Etchlab 200 是研發(fā)用干法刻蝕工藝的基本型和經濟型設備，可逐步升級到完整的反應離子刻蝕設備 RIE、適用于所有工藝氣體和工藝要求。
Etchlab 200 具有模塊化設計、工藝穩(wěn)定性、使用簡便，直接放置晶圓。Etchlab 200 適用于廣泛的刻蝕工藝，例如刻蝕硅、氧化硅、金屬、三五族化合物和聚合物。
單晶片反應腔室內的經過長期驗證的模塊可滿足各種要求、包括繁重的刻蝕任務。按照的刻蝕任務和等離子體化學氣體要求，反應腔室可配置不同的氣體系統(tǒng)。設備所有的重要參數均為自動控制。
下電極可容納直徑 4 吋到 8 吋的晶圓。下電極水冷、或通過可選的循環(huán)冷卻器將溫度控制在 10°C 到80°C。下電極的 13.56 MHz 射頻功率源產生等離子體（RIE 模式）。不同的等離子阻抗自動匹配到射頻發(fā)生器的 50 歐姆輸出。產生等離子體的同時，加載到下電極上的 13.56 MHz 射頻功率同時產生一個直流自偏壓。直徑 100 mm 到 200 mm 的晶圓直接放置在下電極上。
真空系統(tǒng)包括渦輪分子泵和機械前級泵、符合 RIE 工藝所需的壓力-流量要求。自動節(jié)流閥保持反應腔體內的壓力、獨立于氣體流量。質量流量計（MFC）提供高穩(wěn)定的氣流。這樣就能達到精確和可重復的刻蝕條件。
系統(tǒng)具備*的硬件和軟件控制系統(tǒng)，采用客戶機-服務器結構。成熟、可靠的遠程現(xiàn)場控制器（RFC）通過串行現(xiàn)場總線（Interbus）、實時控制所有部件。基本的安全互鎖由該 RFC 實現(xiàn)。
