產品概述
感應耦合等離子刻蝕機 SI 500 適用于小批量生產和研發、以及用于高校。SI 500 可按掩膜結構成比例、高均勻性地刻蝕硅、半導體、石英等材料，以及實現微光學結構的制備，襯底尺寸 8 吋。
SI 500 的顯著特點包括平板感應耦合等離子體（ICP）源、下電極配置氦氣背板冷卻和動態溫度控制、高傳導真空系統和系統的控制原理。SI 500 由 SENTECH 軟件結合遠程現場控制器（RFC）控制。
的感應耦合等離子體源 PTSA 200（平板三螺旋天線）生成高離解等離子體。它由 13.56 MHz的功率源驅動、可在很低的等離子體勢能下、產生高達 1*1012 cm-3（氬等離子體）的等離子密度。自動匹配網絡集成在 PTSA 200 中。
下電極可容納 8 吋直徑、9 mm 高度的襯底，碎片可由載片器裝載。電極溫度可控制在-30°C 到+250°C 范圍內。為在高密度等離子體中保持襯底的低溫，晶圓背面是壓力可控的氦氣。晶圓由機械壓盤夾持。
第二個 13.56 MHz 的功率源提供下電極的射頻偏置。這樣離子能量和離子密度可分別控制。為下電極單獨提供射頻功率時，系統則與平行板刻蝕機類似、可運行反應離子刻蝕 RIE 工藝。
真空系統包括渦輪分子泵和機械前級泵、符合 ICP 工藝所需的低壓力/高流量要求、并防止氟基和氯基氣體的腐蝕作用。自動節流閥保持反應腔體內的壓力、獨立于氣體流量。質量流量計（MFC）提供高穩定的氣流。這樣就能達到精確和可重復的刻蝕條件。
