1. 設備用途
本設備主要供大專院校、科研單位等針對金屬化合物、陶瓷、無機化合物、納米材料等在真空或保護氣氛的條件下進行加壓加熱燒結處理，以便獲得高致密度的產品，例如生產高精度氮化硅陶瓷軸承等。
2. 方案圖
（圖片僅供參考）
3. 主要技術參數
3.1 電源：三相 380V 50Hz
3.2 額定加熱功率：≤18Kw 單相相加熱
3.3 最高溫度：1900℃ 使用溫度室溫-1850℃
3.4 工作區尺寸：100*100*100（D*H，mm）
3.5 控溫區數：一區
3.6 控溫方式：鎢錸熱電偶
3.7 控溫精度：±1℃
3.8 冷態極限真空度：6.67*10-3Pa（空爐、冷態、烘烤除氣后）
3.9 壓升率：4Pa/h
3.10 充氣氣氛：惰性氣體
3.11 充氣壓力（微正壓）：≤0.03MPa
3.12 最大壓力：5T（數顯、自動調壓、自動保壓、伺服電動缸）
3.13 壓頭直徑：Ф40 mm
3.14 壓力波動：≤±100N，位移精度≥0.01mm
3.15 壓力行程：0～100mm（數顯）
3.16 壓力控制：伺服電動控制（伺服電機控制）
4. 設備構成
序號 | 名稱 | 數量 | 序號 | 名稱 | 數量 |
1 | 爐門 | 2 | 爐體 | ||
3 | 龍門架 | 4 | 加熱及隔熱系統 | ||
5 | 真空系統(擴散泵） | 6 | 伺服電動壓力系統 | ||
7 | 自動充放氣系統 | 8 | 水冷卻系統 | ||
9 | 控制系統 | 10 | 變壓器及連接電纜 | ||
5. 結構及功能說
