1、光催化氧化原理：
半導體光催化劑大多是n型半導體材料（當前以為TiO2使泛）都具有區別于金屬或絕緣物質的特別的能帶結構,即在一個價帶和導帶之間存在一個禁帶。
由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超氧負離子和氫氧自由基具有很強的氧化性,能將絕大多數的有機物氧化至終產物CO2和H2O,甚至對一些無機物也能*分解。
廢氣處理設備特點：
一、本產品利用特制的高能高臭氧UV紫外線光束照射惡臭氣體，改變惡臭氣體如：氨、三、硫化氫、甲硫氫、甲硫醇、甲硫醚、二甲二硫、二硫化碳和苯乙烯，硫化物H2S、VOC類，苯、甲苯、二甲苯的分子鏈結構，使有機或無機高分子惡臭化合物分子鏈，在高能紫外線光束照射下，降解轉變成低分子化合物，如CO2、H2O等。
二、利用高能高臭氧UV紫外線光束分解空氣中的氧分子產生游離氧，即活性氧，因游離氧所攜正負電子不平衡所以需與氧分子結合，進而產生臭氧。
UV＋O2→O-+O＊(活性氧)O+O2→O3(臭氧),*臭氧對有機物具有*的氧化作用，對惡臭氣體及其它刺激性異味有*的清除效果。
三、惡臭氣體利用排風設備輸入到本凈化設備后，凈化設備運用高能UV紫外線光束及臭氧對惡臭氣體進行協同分解氧化反應，使惡臭氣體物質其降解轉化成低分子化合物、水和二氧化碳，再通過排風管道排出室外。
四、利用高能UV光束裂解惡臭氣體中細菌的分子鍵，破壞細菌的核酸（DNA），再通過臭氧進行氧化反應，*達到脫臭及殺滅細菌的目的．
